Publikace UTB
Repozitář publikační činnosti UTB

Exploiting multiple percolation in two-terminal memristor to achieve a multitude of resistive states

Repozitář DSpace/Manakin


Find Full text Export to RefWorks
   

 

Soubory tohoto záznamu

Citace ČSN ISO 690:2011

Citace článku v časopise:
FOULGER, Stephen H., Yuriy BANDERA, Benjamin GRANT, Jarmila VILČÁKOVÁ a Petr SÁHA. Exploiting multiple percolation in two-terminal memristor to achieve a multitude of resistive states. Journal of Materials Chemistry C [online]. 2021, vol. 9, iss. 28, s. 8975-8986. [cit. 2024-07-19]. ISSN 2050-7526. Dostupné z: https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2021/TC/D1TC00987G.

Tyto citace vytvořil software a mohou obsahovat chyby. Pro ověření přesnosti si nastudujte příslušnou citační normu nebo příručku.

Související články